引言：4月20日的國家發改委新聞發布會上，官方首次明確了“新基建”的范圍，這包括信息基礎設施、融合基礎設施、創新基礎設施三個方面。“新基建”是與傳統的“鐵公基”相對應，結合新一輪科技革命和產業變革特征，面向國家戰略需求，為經濟社會的創新、協調、綠色、開放、共享發展提供底層支撐的具有乘數效應的戰略性、網絡型基礎設施。新基建正如火如荼進行，在新基建的快速前進的步伐中，熱點材料第三代半導體的看點有什么，本文將簡單分析。

“新基建”包括5G基建、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數據中心、人工智能、工業互聯網等七大領域。可知“新基建”眾多產業的建設都與半導體技術的發展息息相關，尤其是第三代半導體在“新基建”下將迎來重大的機遇。

例如：以第三代半導體氮化鎵(GaN)為核心的射頻半導體，支撐著5G基站及工業互聯網系統的建設；以碳化硅(SiC)以及IGBT為核心的功率半導體，支撐著新能源汽車、充電樁、基站/數據中心電源、特高壓以及軌道交通系統的建設；不難看出，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為首的第三代半導體是支持“新基建”的核心材料。在“新基建”與國產替代的加持下，與第三代半導體相關產業鏈或將迎來大口享用“新基建”紅利的機遇。

從目前第三代半導體材料及器件的研究來看，較為成熟的第三代半導體材料是SiC和GaN，而ZnO、金剛石、氮化鋁等第三代半導體材料的研究尚屬起步階段。

關于第三代半導體碳化硅(SiC)：

碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，也是目前晶體生產技術和器件制造水平最成熟，應用最廣泛的寬禁帶半導體材料之一，目前在已經形成了全球的材料、器件和應用產業鏈。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低電子設備的能耗，因此碳化硅器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源器件”。

圖：SiC：沒啥好好吹的，我就是功率器件一哥

關于第三代半導體氮化鎵(GaN)：

氮化鎵具有高的電離度，出色的擊穿能力、更高的電子密度和電子速度以及更高的工作溫度，且具有低導通損耗、高電流密度等優勢。通常用于微波射頻、電力電子、光電子三大領域。微波射頻包含了5G通信、雷達預警、衛星通訊等應用；電力電子方向包括了智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費電子等應用；光電子方向包括了LED、激光器、光電探測器等應用。

附表：新基建建設內容與目標

表格來源：賽迪智庫電子所，《“新基建”發展白皮書》

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